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2019.12.11

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  • 一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法

    简介:一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法,…

    专利类型:发明

    申请人:哈尔滨工业大学

    所在地:黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法

    简介:一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法。本发明属于晶体…

    专利类型:发明

    申请人:哈尔滨工业大学

    所在地:黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 一种纳米氧化铝/铝酸钆复合粉体的制备方法

    简介:一种纳米氧化铝/铝酸钆复合粉体的制备方法,涉及…

    专利类型:发明

    申请人:哈尔滨工业大学

    所在地:黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 红色发光材料铕配位聚合物、其制备方法及基于该聚合物的复合光能转换薄膜的制备方法

    简介:红色发光材料铕配位聚合物、其制备方法及基于该聚…

    专利类型:发明

    申请人:哈尔滨工业大学

    所在地:黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 一种用于增材制造喂料的纳米锆酸钐粉体的制备方法

    简介:一种用于增材制造喂料的纳米锆酸钐粉体的制备方法…

    专利类型:发明

    申请人:哈尔滨工业大学

    所在地:黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用

    简介:一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用,涉及…

    专利类型:发明

    申请人:哈尔滨工业大学

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  • 一种基于三价镨离子发光特性的高灵敏度温度测量方法

    简介:一种基于三价镨离子发光特性的高灵敏度温度测量方…

    专利类型:发明

    申请人:哈尔滨工业大学

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  • 一种基于核壳结构的上转换微纳米球的染料敏化太阳能电池光阳极的制备方法

    简介:一种基于核壳结构的上转换微纳米球的染料敏化太阳…

    专利类型:发明

    申请人:哈尔滨工业大学

    所在地:黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号