潜艇用高能量密封铅酸蓄电池负极板栅材料及负极板栅结构

简介：本发明提出一种潜艇用高能量密封铅酸蓄电池负极板…

专利类型：发明

申请人：北京天睿力迈科技有限公司陈有孝

所在地：100029北京市朝阳区裕民路12号元辰鑫大厦522室

一种增氧离子节能装置

简介：一种增氧离子节能装置，该装置包括：外壳、芯和气…

专利类型：发明

申请人：北京交通大学

所在地：100044北京市海淀区西直门外上园村3号

一种烧结镁质复相耐火材料

简介：本发明所述耐火材料的配方由镁铁砂、镁砂、镁铝尖…

专利类型：发明

申请人：北京瑞泰高温材料科技股份有限公司

所在地：100024北京市朝阳区管庄东里1号

复合金属氧化物半导体材料及其制备方法

简介：本发明提供了一种复合金属氧化物半导体材料及其制…

专利类型：发明

申请人：北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司

所在地：100871北京市海淀区北京大学微电子学研究院青鸟元芯公司

生长于硅衬底上的垂直结构的半导体芯片或器件

简介：本发明展示垂直结构的半导体芯片(包括GaN基和GaI…

专利类型：发明

申请人：金芃

所在地：100871北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号

高温合金表面热障涂层及其制备方法

简介：本发明属于热加工技术，涉及在高温合金表面制备的…

专利类型：发明

申请人：中国航空工业第一集团公司北京航空材料研究院

所在地：100095北京市81信箱

掺铈氯化镧闪烁晶体的制备方法

简介：一种掺铈氯化镧闪烁单晶体的制备方法，该闪烁晶体…

专利类型：发明

申请人：北京工物科技有限责任公司

所在地：100094北京市海淀区西六建材工贸公司院内甲1号

以放射性同位素作为射线源的微型CT系统

简介：一种以放射性同位素作为射线源的微型CT系统，包括…

专利类型：发明

申请人：中国科学院理化技术研究所

所在地：100080北京市海淀区中关村北一条2号