星期一17:50

2019.12.11

搜索
  • 一种双多晶应变SiGe平面BiCMOS集成器件及制备方法

    简介:本发明公开了一种双多晶应变SiGe平面BiCMOS集成器…

    专利类型:发明

    申请人:西安电子科技大学

    所在地:陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 一种应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

    简介:本发明公开了一种应变SiGe BiCMOS集成器件及…

    专利类型:发明

    申请人:西安电子科技大学

    所在地:陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法

    简介:本发明公开了一种基于平面应变SiGe HBT器件…

    专利类型:发明

    申请人:西安电子科技大学

    所在地:陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 一种测定镁钕合金中杂质的方法

    简介:一种测定镁钕合金中杂质的方法,吸入雾化器中的溶…

    专利类型:发明

    申请人:西安航空动力股份有限公司

    所在地:陕西省西安市北郊徐家湾

  • 一种PVC/苯乙烯系聚合物合金及其制备方法

    简介:本发明公开了一种PVC/苯乙烯系聚合物合金,其特征…

    专利类型:发明

    申请人:西安科技大学

    所在地:陕西省西安市雁塔路58号

  • 一种黄光发射氮氧化物荧光粉及其制备方法

    简介:本发明涉及一种黄光发射氮氧化物荧光粉及其制备方…

    专利类型:发明

    申请人:彩虹集团公司

    所在地:陕西省咸阳市彩虹路1号

  • 酵母菌微球体磁性复合材料表面印迹吸附剂的制备方法

    简介:本发明涉及一种酵母菌微球体磁性复合材料表面印迹…

    专利类型:发明

    申请人:长安大学

    所在地:陕西省西安市长安中路33号

  • 一种铝合金Ce-Cu复合转化膜及其制备方法

    简介:本发明提供了一种铝合金Ce-Cu复合转化膜,由Ce、…

    专利类型:发明

    申请人:西安科技大学

    所在地:陕西省西安市雁塔中路58号