一种氮铈共掺二氧化钛空心球光催化剂及其制备方法

简介：本发明公开了一种氮铈共掺二氧化钛空心球光催化剂…

专利类型：发明

申请人：陕西科技大学

所在地：陕西省西安市北郊未央大学园区

Fe3O4/SiO2@Gd2O3:Eu, Bi磁性-荧光纳米材料的制备方法和应用

简介：本发明涉及一种Fe3O4/SiO2@Gd2O3:Eu,Bi磁性-荧光…

专利类型：发明

申请人：陕西师范大学

所在地：陕西省西安市长安南路199号

用Fe3O4/SiO2@Gd2O3:Eu, Bi材料显现皮肤上指纹的方法

简介：一种用Fe3O4/SiO2@Gd2O3:Eu,Bi材料显现皮肤上指纹…

专利类型：发明

申请人：陕西师范大学

所在地：陕西省西安市长安南路199号

一种三多晶应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

简介：本发明公开了一种三多晶应变SiGe BiCMOS集成…

专利类型：发明

申请人：西安电子科技大学

所在地：陕西省西安市雁塔区太白南路2号

一种基于SOI衬底的双应变BiCMOS集成器件及制备方法

简介：本发明公开了一种制备基于SOI衬底的BiCMOS集成器…

专利类型：发明

申请人：西安电子科技大学

所在地：陕西省西安市雁塔区太白南路2号

一种SOI SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

简介：本发明公开了一种制备SOI SiGe BiCMOS…

专利类型：发明

申请人：西安电子科技大学

所在地：陕西省西安市雁塔区太白南路2号

一种SiGe基应变BiCMOS集成器件及制备方法

简介：本发明公开了一种SiGe基应变BiCMOS集成器件及制备…

专利类型：发明

申请人：西安电子科技大学

所在地：陕西省西安市雁塔区太白南路2号

一种SOI应变SiGe CMOS集成器件及制备方法

简介：本发明公开了一种SOI应变SiGe CMOS器件及制…

专利类型：发明

申请人：西安电子科技大学

所在地：陕西省西安市雁塔区太白南路2号