一种能够实现成像功能的多层金属介质膜的设计方法

简介：一种能够实现成像功能的多层金属介质膜的设计方法…

专利类型：发明

申请人：中国科学院光电技术研究所

所在地：610209四川省双流350信箱

一种以碳化硅为惰性基体的核燃料及其制备方法

简介：本发明提供了一种以碳化硅为惰性基体的核燃料及其…

专利类型：发明

申请人：中国核动力研究设计院

所在地：610041四川省成都市一环路南三段28号

从均匀性水溶液核反应堆气体回路所提取的锶-89的分离纯化工艺

简介：本发明提供了一种从均匀性水溶液核反应堆气体回路…

专利类型：发明

申请人：中国核动力研究设计院

所在地：610041四川省成都市一环路南三段28号

均匀性水溶液核反应堆燃料溶液纯化工艺

简介：本发明属于放射性裂变产物的分离技术，具体涉及一…

专利类型：发明

申请人：中国核动力研究设计院

所在地：610041四川省成都市一环路南三段28号

一种纳米镧锶锰氧化物的制备方法

简介：一种制备纳米镧锶锰氧化物(La1－xSrxMnO3)粉体的…

专利类型：发明

申请人：西南交通大学

所在地：610031四川省成都市二环路北一段111号

一种高分子辅助沉积高温超导涂层导体超导层的方法

简介：一种高分子辅助沉积高温超导涂层导体超导层的方法…

专利类型：发明

申请人：西南交通大学

所在地：610031四川省成都市二环路北一段111号

高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法

简介：一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的…

专利类型：发明

申请人：西南交通大学

所在地：610031四川省成都市二环路北一段111号

高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法

简介：一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓…

专利类型：发明

申请人：西南交通大学

所在地：610031四川省成都市二环路北一段111号