QLED封装器件

简介：本发明提供了一种QLED封装器件。该QLED封装器件，…

专利类型：发明

申请人：上海大学

所在地：上海市宝山区上大路99号

Eu2+/Eu3+共存(Y0.9La0.1)2O3粉体、制法、应用和透明陶瓷制法

简介：本发明公开了一种Eu2+/Eu3+共存掺杂(Y0.9La0.1)2…

专利类型：发明

申请人：上海大学

所在地：上海市宝山区上大路99号

La0.88Sr0.12MnO3纳米纤维修饰的碳糊电极及其制备方法和应用

简介：本发明涉及一种La0.88Sr0.12MnO3纳米纤维修饰的碳…

专利类型：发明

申请人：上海大学

所在地：上海市宝山区上大路99号

CeO2系PTCR热敏陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明涉及一种CeO2系PTCR热敏陶瓷材料及其制备方…

专利类型：发明

申请人：上海大学

所在地：上海市宝山区上大路99号

高温超导带材基底的快速平整化方法

简介：一种快速高效的高温超导带材基底的平整化方法，属…

专利类型：发明

申请人：上海大学

所在地：上海市宝山区上大路99号

含金属碳化物多层多组分复合材料的制备方法

简介：本发明公开了一种含金属碳化物多层多组分复合材料…

专利类型：发明

申请人：上海大学

所在地：上海市宝山区上大路99号

一种形貌可控的YAG微晶的制备方法

简介：本发明涉及一种形貌可控的YAG微晶的制备方法，包…

专利类型：发明

申请人：上海大学中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区定西路1295号

碳化硅纳米线的电化学合成方法

简介：本发明公开了一种碳化硅纳米线的电化学合成方法，…

专利类型：发明

申请人：上海大学

所在地：上海市宝山区上大路99号