星期一17:50

2019.12.11

搜索
  • 稀土硫代氧化物晶体的生长方法

    简介:一种稀土硫代氧化物晶体的生长方法,是采用助熔剂…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所

    所在地:201800上海市800-211邮政信箱

  • 稀土硫代氧化物激光陶瓷

    简介:一种稀土硫代氧化物激光陶瓷,其特征在于该激光陶…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所

    所在地:201800上海市800-211邮政信箱

  • 掺三价铈离子稀土铝酸盐晶体的制备方法

    简介:一种掺三价铈离子稀土铝酸盐晶体的制备方法,该稀…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所

    所在地:201800上海市800-211邮政信箱

  • 大面积晶体的温梯法生长装置

    简介:一种大面积晶体的温梯法生长装置,该装置包括钟罩…

    专利类型:新型

    申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所

    所在地:201800上海市800-211邮政信箱

  • 大面积晶体的温梯法生长装置及其生长晶体的方法

    简介:一种大面积晶体的温梯法生长装置及其生长晶体的方…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所

    所在地:201800上海市800-211邮政信箱

  • 硅酸钆单晶体的生长方法

    简介:一种硅酸钆单晶体的生长方法,其特征在于该方法的…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所

    所在地:201800上海市800-211邮政信箱

  • 硅酸钆闪烁晶体的生长方法

    简介:一种硅酸钆闪烁晶体的生长方法,主要是用和硅酸钆…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所

    所在地:201800上海市800-211邮政信箱

  • 掺钕铝酸钇和铝酸钇复合激光晶体的制备方法

    简介:一种掺钕铝酸钇和铝酸钇复合激光晶体的制备方法,…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所

    所在地:201800上海市800-211邮政信箱