掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法
简介:一种掺铈焦硅酸镥亚微米成像荧光屏的制备方法,其…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺三价铈离子的正硅酸盐闪烁晶体的制备方法
简介:一种掺三价铈离子的正硅酸盐闪烁晶体的制备方法,…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺铈掺铕铝酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法
简介:一种掺铈掺铕铝酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺铈硅酸镥钆亚微米成像透明荧光屏及其制备方法
简介:一种掺铈硅酸镥钆亚微米成像透明荧光屏及其制备方…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法
简介:一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法,…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法
简介:一种掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法
简介:一种掺铈焦硅酸镥高温闪烁晶体Lu2(1-x-y-z)Re…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法
简介:一种掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法,该晶体结构…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱