镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法
简介:一种镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法,该激…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺镱焦硅酸镥激光晶体及其制备方法
简介:一种掺镱焦硅酸镥激光晶体,该晶体的分子式为:(…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺镱硅酸钇镥激光晶体及其制备方法
简介:一种掺镱硅酸钇镥激光晶体及其制备方法,该晶体的…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法
简介:一种掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法,该激光晶体…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法
简介:一种掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法,…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
共掺钠和镱氟化钙激光晶体及其生长方法
简介:一种共掺钠和镱氟化钙激光晶体及其生长方法,该晶…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺铬镱铝石榴石晶体的生长方法
简介:一种掺Cr4+镱铝石榴石晶体的生长方法,该方法的原…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱
掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法
简介:一种掺铈二硅酸镥闪烁单晶的生长方法,该单晶的结…
专利类型:发明
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
所在地:201800上海市800-211邮政信箱