氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料

简介：本发明涉及氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料及其应用，…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法

简介：本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

透光性氧化铝陶瓷的制备方法

简介：本发明涉及一种透光性氧化铝陶瓷的制备方法，其特…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

氧化铪－氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途

简介：本发明涉及一种以HfO2稳定Gd2O3的固溶体为基体，…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

氧化镥基纳米荧光粉体及其溶液燃烧合成方法

简介：本发明涉及一种氧化镥基纳米荧光粉体及其溶液燃烧…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

一种氧化镥基透明陶瓷的制备方法

简介：本发明涉及一种氧化镥基透明陶瓷的制备方法，属于…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

一种氧化钇基透明陶瓷材料的制备方法

简介：本发明涉及氧化钇基透明陶瓷的烧结方法，属于先进…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

一种稀土掺杂的纳米级氧化钇基发光粉体的制备方法

简介：本发明是涉及一种稀土掺杂的纳米级氧化钇基发光粉…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号