星期一17:50

2019.12.11

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  • 一种稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶及其生长方法

    简介:本发明涉及一种无机化合物晶体及制造技术领域,提…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种镨铈掺杂焦硅酸镥发光材料及其制备方法

    简介:本发明涉及闪烁晶体或荧光粉体材料领域,提供了一…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种镨铈掺杂硼酸镥钪发光材料及其制备方法

    简介:本发明涉及闪烁晶体或荧光粉体材料领域,提供了一…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法

    简介:本发明属于无机化合物晶体及制造技术领域,具体涉…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市长宁区定西路1295号

  • 共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法

    简介:本发明属于闪烁晶体材料领域,具体涉及一种共掺杂…

    专利类型:发明

    申请人:上海硅酸盐研究所中试基地中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:201800上海市嘉定区城北路215号

  • 掺镱硼酸钆锂激光晶体及其制备方法

    简介:本发明公开了一种掺镱硼酸钆锂激光晶体及其制备方…

    专利类型:发明

    申请人:上海硅酸盐研究所中试基地中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:201800上海市嘉定区城北路215号

  • 硼酸钆锂晶体的晶体生长方法

    简介:本发明公开了一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法,涉…

    专利类型:发明

    申请人:上海硅酸盐研究所中试基地中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:201800上海市嘉定区城北路215号

  • 铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法

    简介:本发明涉及晶体领域,具体涉及一种铈掺杂稀土硼酸…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号