一种氧化物介质的原子层沉积方法

简介：本发明公开了一种氧化物介质的原子层沉积方法，属…

专利类型：发明

申请人：中国科学院微电子研究所

所在地：北京市朝阳区北土城西路3号

一种降低生物质锅炉换热器腐蚀的涂料

简介：本发明涉及一种降低生物质锅炉换热器腐蚀涂料的制…

专利类型：发明

申请人：北京五源环保技术有限公司

所在地：北京市大兴区北京经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋2层2202号（集中办公区）

一种铁电陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明公开了一种铁电陶瓷材料的制备方法，所述制…

专利类型：发明

申请人：北京国械堂科技发展有限责任公司

所在地：北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天贵街3号院2号楼402-403

一种Mg2SiO4：Tb热释光剂量片的制备方法

简介：本发明提出了一种Mg2SiO4:Tb热释光剂量片的制备方…

专利类型：发明

申请人：中国地质大学（北京）

所在地：北京市海淀区学院路29号

一种基于长周期光纤光栅滤波的2μm波段ASE光源的实现方法

简介：本发明提供了一种基于长周期光纤光栅滤波的2μm波…

专利类型：发明

申请人：北京信息科技大学

所在地：北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院

利用微波加热技术制备稀土荧光二氧化硅纳米颗粒的方法

简介：本发明公开了一种利用微波加热技术制备稀土荧光二…

专利类型：发明

申请人：中检国研（北京）科技有限公司

所在地：北京市朝阳区高碑店北路甲3号2号楼4层403室

一种巨介电低损耗CCTO基陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明涉及一种具有巨介电常数、低介电损耗的CaC…

专利类型：发明

申请人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司

所在地：北京市丰台区海鹰路1号院5号楼3层3-2（园区）

一种载铈纳米二氧化钛复合中草药空气净化剂及其制备方法

简介：本发明公开了一种载铈纳米二氧化钛复合中草药空气…

专利类型：发明

申请人：北京祯馨纬业科技发展有限公司

所在地：北京市朝阳区广渠路39号院2号楼二层(双井孵化器542号)