星期一17:50

2019.12.11

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  • 提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术

    简介:本发明用稀土氧化物Eu2O3掺杂BGO晶体,使该晶体的…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市长宁区长宁路865号

  • 改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料及其制备方法

    简介:本发明涉及一种改性偏铌酸铅高温压电陶瓷,属于陶…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市长宁区长宁路865号

  • 一种新型磁电调谐复合薄膜及其制备方法

    简介:本发明涉及一种新型磁电调谐复合薄膜及其制备方法…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种低烧结温度功率型压电陶瓷材料及其制备方法

    简介:本发明涉及一种低烧结温度功率型压电陶瓷材料及其…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种磁电复合薄膜及其制备方法

    简介:本发明涉及一种磁电复合薄膜及其制备方法,所述复…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法

    简介:本发明涉及一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法,所…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种低温烧结的高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法

    简介:本发明涉及一种低温烧结的高储能密度反铁电陶瓷材…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种均匀细晶粒的钛酸锶钡热释电陶瓷及其制备方法

    简介:本发明涉及一种均匀细晶粒的钛酸锶钡热释电陶瓷及…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号