掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术

简介：本发明涉及一种掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

一种经改进的在200℃使用的剪切型绝缘压电加速度计

简介：本发明涉及一种可在200℃高温下使用的剪切型底部…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

一种经改进的250℃温度下测厚用的超声波传感器

简介：一种经改进的250℃温度下测厚用的超声波传感器,属…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

可在200℃高温下使用的360°换向的压电加速度计

简介：本发明涉及一种200℃高温下使用的360°换向中…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

自蔓延高温合成制备β－氮化硅晶须的方法

简介：一种自蔓延高温合成β－Si3N4晶须的制备方法,属于…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

用稀土离子改性的钨酸铅晶体制作的声光调制器

简介：本发明涉及一种用稀土离子改性的钨酸铅晶体制作的…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

激光—化学腐蚀刻蚀非晶硅(a-Si)太阳电池背电极

简介：用激光—化学腐蚀刻蚀非晶硅太阳电池背电极，涉及…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区长宁路865号

掺三氧化二硼的高居里点热敏陶瓷

简介：本发明涉及掺B2O3(或硼酸)的高居里点钛酸钡铅(高…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区长宁路865号