星期一17:50

2019.12.11

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  • 小功率超声换能器用掺杂改性钛酸铋钠钡压电陶瓷及其制备方法

    简介:本发明涉及小功率超声换能器用掺杂改性钛酸铋钠钡…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市定西路1295号

  • 水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法

    简介:本发明涉及一种水基流延法制备集成电路氮化铝陶瓷…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市定西路1295号

  • 一种镓酸钇基三色荧光材料及其制备方法

    简介:本发明涉及一种镓酸钇(Y3Ga5O12)为基质的荧光材料…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市定西路1295号

  • 碱金属锡磷酸盐基发光材料及其制备方法

    简介:本发明提出一种碱金属锡磷酸盐基发光材料及其制备…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市定西路1295号

  • 自蔓延高温合成低成本复相α/β-赛隆粉体的制备方法

    简介:一种自蔓延高温合成低成本复相α/β-赛隆粉体的…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市定西路1295号

  • 低成本α-赛隆粉体的自蔓延高温合成制备方法

    简介:一种低成本α-赛隆粉体的自蔓延高温合成制备方法…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市定西路1295号

  • 富锆锆钛酸铅陶瓷的低温烧结

    简介:本发明涉及一种富锆锆钛酸铅陶瓷的低温烧结。其特…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市定西路1295号

  • 适合工业化生产的掺杂锑锰-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

    简介:本发明涉及一种适合工业化生产的掺杂锑锰-锆钛酸…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:200050上海市定西路1295号