基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用

简介：本发明涉及一种新型存储器用硅基全外延多层薄膜、…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市长宁区定西路1295号

三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法

简介：本发明涉及三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市长宁区定西路1295号

一种钡锌锑基p型热电材料及其制备方法

简介：本发明涉及一种钡锌锑基p型热电材料及其制备方法…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

一种镉锑基p型热电材料及其制备方法

简介：本发明涉及一种镉锑基p型热电材料及其制备方法，…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

Yb2SiO5粉体的溶胶凝胶制备方法

简介：本发明涉及一种Yb2SiO5粉体的溶胶凝胶制备方法，…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市长宁区定西路1295号

磷酸铽钙钾绿色荧光粉及其制备方法和用途

简介：本发明涉及一种在X－射线，紫外激发或者真空紫外…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

掺钕和钐的铋层状压电陶瓷及其制备方法

简介：本发明涉及掺钕和钐的铋层状压电陶瓷及其制备方法…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

四晶格位结构压电晶体

简介：本发明涉及四晶格位结构压电晶体，其化学式为Me3…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号