一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料及其制备方法

简介：本发明涉及一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市长宁区定西路1295号

电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控

简介：本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

一种烧绿石结构稀土锆酸盐材料及其制备方法与应用

简介：本发明公开了一类可用于热障涂层的烧绿石结构稀土…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区定西路1295号

稀土配合物、稀土氧化物及其制备方法

简介：本发明提供了稀土配合物、稀土氧化物及其制备方法…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

一种低温制备纯相氧化物材料的方法

简介：本发明涉及一种低温制备纯相氧化物材料的方法，属…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法

简介：本发明涉及一种掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法，…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用

简介：本发明涉及一种掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号

高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料及其制备方法

简介：本发明涉及一种高使用温度、高稳定无铅正温度系数…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：200050上海市定西路1295号