空穴补偿型方钴矿热电材料及其制备方法

简介：本发明涉及空穴补偿型方钴矿热电材料及其制备方法…

专利类型：发明

申请人：康宁股份有限公司中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市徐汇区定西路1295号

一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明公开了一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区定西路1295号

一种锆磷酸盐基发光材料及其制备方法和应用

简介：本发明公开了一种锆磷酸盐基发光材料，其组成由以…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区定西路1295号

用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法

简介：本发明涉及用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体…

专利类型：发明

申请人：上海硅酸盐研究所中试基地中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市嘉定区城北路215号

一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法

简介：本发明属于半导体薄膜材料技术领域，涉及一种高质…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区定西路1295号

一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法

简介：本发明公开了一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区定西路1295号

一种稀土正铁氧体纳米粉体的制备方法

简介：本发明公开了一种稀土正铁氧体纳米粉体的制备方法…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区定西路1295号

一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备方法

简介：本发明公开了一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备…

专利类型：发明

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

所在地：上海市长宁区定西路1295号