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2019.12.11

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  • 一种光谱性能可调控的稀土离子掺杂碱土氟化物激光晶体及其制备方法

    简介:本发明涉及一种光谱性能可调控的稀土离子掺杂碱土…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种新型CT造影剂及其制备方法和应用

    简介:本发明涉及一种新型CT造影剂及其制备方法和应用,…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种高耐压陶瓷材料及其制备方法

    简介:本发明涉及一种高耐压陶瓷材料及其制备方法,所述…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • YAG材料中掺杂元素Nd的激光剥蚀-电感耦合等离子体质谱定量分析方法

    简介:本发明涉及YAG材料中掺杂元素Nd的激光剥蚀-电感耦…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种Nd掺杂氟化锶钙晶体及其制备方法

    简介:本发明涉及一种Nd掺杂氟化锶钙晶体及其制备方法,…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种石榴石结构陶瓷电解质材料、制备方法及应用

    简介:本发明涉及一种石榴石结构陶瓷电解质材料、制备方…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种超细氧化钪纳米粉体的制备方法

    简介:本发明涉及一种超细氧化钪纳米粉体的制备方法,包…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号

  • 一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法

    简介:本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

    所在地:上海市长宁区定西路1295号