一种具有在线光谱监测功能的超临界流体络合反应装置

简介：本发明属于超临界流体萃取分离锕系、镧系元素研究…

专利类型：发明

申请人：中国原子能科学研究院

所在地：北京市房山区北京市275信箱65分箱

一种抗弯曲瓣状大模场单模光纤

简介：一种抗弯曲瓣状大模场单模光纤，属于大功率光纤放…

专利类型：发明

申请人：北京交通大学

所在地：北京市海淀区西直门外上园村3号

一种单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光纤

简介：一种单模多环纤芯耦合多块掺稀土瓣状纤芯的光纤，…

专利类型：发明

申请人：北京交通大学

所在地：北京市海淀区西直门外上园村3号

一种高耐腐蚀架空地线合金镀层及其制备工艺

简介：本发明提供了一种高耐腐蚀架空地线合金镀层及其制…

专利类型：发明

申请人：国网智能电网研究院国家电网公司国网山东省电力公司国网浙江省电力公司金华供电公司

所在地：北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号（未来科技城）

一种玻璃闪烁体及其制备方法以及热中子探测方法

简介：本发明公开了一种玻璃闪烁体及其制备方法以及热中…

专利类型：发明

申请人：中国建筑材料科学研究总院

所在地：北京市朝阳区管庄东里1号

一种基于二次离子质谱仪的测定氟碳铈矿样品的钍铅年龄的方法

简介：本发明公开了一种基于二次离子质谱仪的测定氟碳铈…

专利类型：发明

申请人：中国科学院地质与地球物理研究所

所在地：北京市朝阳区北土城西路19号

一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶处理方法

简介：本发明提供了一种碳化硅籽晶处理方法，通过在籽晶…

专利类型：发明

申请人：北京天科合达半导体股份有限公司新疆天科合达蓝光半导体有限公司

所在地：北京市海淀区中关村东路66号1号楼2005室

用高硅铁尾矿制造低膨胀微晶玻璃的方法

简介：用高硅铁尾矿制造低膨胀微晶玻璃的方法，包括准备…

专利类型：发明

申请人：北京清迈华清控股（集团）有限公司

所在地：北京市海淀区清华科技园科技大厦c座705