具有良好非晶形成能力的Gd-Co-Al-Zr大块金属玻璃及其制备方法

简介：本发明提供一种具有良好非晶形成能力和热稳定性的…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市成华区建设北路二段4号

一种可调谐微波负折射率材料

简介：一种可调谐负折射率材料，属于微波材料技术领域。…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段四号

铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法

简介：铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法，属于无机…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段4号

钇铁石榴石薄膜结构及制备方法

简介：钇铁石榴石薄膜结构，属于电子材料领域，它特别涉…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段4号

无铅镥铋石榴石薄膜制备方法

简介：无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段4号

一种大块钆基复合非晶磁致冷材料及其制备方法

简介：本发明提供一种大块钆基复合非晶磁致冷材料及其制…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段4号

硅基近红外发光薄膜材料的制备方法

简介：硅基近红外发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段四号

一种大块稀土钆基复合非晶材料及其制备方法

简介：本发明提供一种大块稀土钆基复合非晶材料及其制备…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段4号