耐高温电磁波吸收材料及其制备方法

简介：耐高温电磁波吸收材料及其制备方法，属于电子材料…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

中红外级联拉曼光纤激光器

简介：一种中红外级联拉曼光纤激光器，其特征在于包括一…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市成华区建设北路二段四号

一种二元交替掺杂BST薄膜的制备方法

简介：一种二元交替掺杂BST薄膜的制备方法，属于功能材…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

1054nm泵浦分束阵列式掺镱光纤放大器

简介：1054nm泵浦分束阵列式掺镱光纤放大器，属于光通信…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段四号

基于掺钕磷酸盐玻璃沟道光波导的离子交换技术条件

简介：基于掺钕磷酸盐玻璃沟道光波导的离子交换技术条件…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段四号

掺钕磷酸盐阵列式光波导放大器中的Ag+浓度

简介：掺钕磷酸盐阵列式光波导放大器中的Ag+浓度，属于…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段四号

基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法

简介：本发明公开了一种基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：610054四川省成都市建设北路二段四号

具有良好非晶形成能力的Gd-Co-Al大块金属玻璃其制备方法

简介：本发明提供一种具有良好非晶形成能力的稀土钆基大…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市成华区建设北路二段4号