星期一17:50

2019.12.11

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  • 一种基于OFDM-ROF的双向无源光网络系统

    简介:本发明公开了一种基于OFDM-ROF的双向无源光网络系…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 双面超导带材缓冲层的连续制备方法

    简介:双面超导带材缓冲层的连续制备方法,属于超导材料…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜及其制备方法

    简介:含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜及其制备方法,…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • Gd-Co-Al-Y块体金属玻璃及其制备方法

    简介:本发明涉及一种Gd-Co-Al-Y块体金属玻璃及其制备方…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市成华区建设北路二段4号

  • 椭圆形带状注电子枪

    简介:该发明属于一种与行波管、返波管等配套用椭圆带状…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法

    简介:用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法,涉及微…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种二元共掺BST微纳粉体的制备方法

    简介:本发明针对常规Sol-gel法制备BST粉体存在杂相,导…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种镱计动态压阻的测试方法

    简介:本发明公开了一种镱计动态压阻的测试方法,其测试…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号