星期一17:50

2019.12.11

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  • 一种超高速率充放电超级电容器薄膜电极的制备

    简介:本发明的技术方案是:采用溶胶凝胶法方法获得超级…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市建设北路二段4号

  • 一种镍电极表面制备三氧化铝和氧化镍陶瓷涂层的方法

    简介:发明公开了一种镍电极表面制备三氧化铝和氧化镍陶…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种促进植物生长的紫外发光二极管

    简介:一种促进植物生长的紫外发光二极管,包括底座、紫…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 基于人工电磁结构材料的小型化微带磁体天线

    简介:本发明提供了基于人工电磁结构材料的小型化微带磁…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种稀土掺杂氮化铝基蓝色荧光粉的制备方法

    简介:本发明提供了一种稀土掺杂氮化铝基蓝色荧光粉的制…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种紫外激发白光的LED用荧光粉及其制备方法

    简介:一种紫外激发白光的LED用荧光粉及其制备方法,属…

    专利类型:发明

    申请人:成都信息工程学院电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 基于光梳和编码技术提高BOTDA检测速度的方法

    简介:本发明公开了一种基于光梳和编码技术提高BOTDA检…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种正相及反相全光波长转换装置

    简介:本发明公开了一种正相及反相全光波长转换装置,它…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号