星期一17:50

2019.12.11

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  • 一种高纯、高亮度AlN:Eu2+蓝色荧光粉的制备方法

    简介:本发明提供了一种高纯、高亮度AlN:Eu2+蓝色荧光…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法

    简介:该发明属于抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法。其…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种新型多通道分布式扰动传感系统

    简介:本发明提出一种新型多通道分布式扰动传感系统。针…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种采用随机激光放大的长距离偏振及相位敏感光时域反射计

    简介:本发明公开了采用随机激光放大的长距离偏振及相位…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种腐蚀液的用途和腐蚀方法

    简介:本发明公开了一种腐蚀液的用途,应用于腐蚀钇钆石…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市成华区建设北路二段四号

  • 低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷及制备方法

    简介:低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷及制备方法,涉…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种在铅合金表面制备氧化钛陶瓷涂层的方法

    简介:本发明公开了一种在铅合金表面制备氧化钛陶瓷涂层…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 超导带材用双面LaMnO3缓冲层的制备方法

    简介:超导带材用双面LaMnO3缓冲层的制备方法,属于超导…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号