Eu2+掺杂Y4Si2O7N2蓝色荧光粉及制备方法

简介：本发明提出了一种Eu2+掺杂的Y4Si2O7N2蓝色荧光粉…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种铈掺杂钛酸锶钡粉体的制备方法

简介：一种铈掺杂钛酸锶钡粉体的制备方法，属于功能材料…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法

简介：一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法，属于功能材料…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种LTCC材料及其制备方法

简介：本发明公开了一种CaO-La2O3-TiO2体系LTCC材料及其…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种锶掺杂的LaVO3纳米线及其气敏传感器的制备方法

简介：本发明提供了一种锶掺杂的LaVO3纳米线及其气敏传…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种碳包覆的BAM：Eu2+蓝色荧光粉及其制备方法

简介：本发明提出了一种碳包覆的BAM：Eu2+蓝色荧光粉及…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种多晶六硼化物环形场发射阴极及其制备方法

简介：本发明属于阴极场发射技术领域，具体是提供一种结…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

具有改善斜入射性能的电磁吸波材料

简介：具有改善斜入射性能的电磁吸波材料，属于电子材料…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号