一种La3Ga5SiO14薄膜的制备方法

简介：一种La3Ga5SiO14薄膜的制备方法，属于薄膜材料制…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

亚微米级低损耗单晶钇铁石榴石薄膜的液相外延制备方法

简介：本发明提供了一种亚微米级低损耗单晶钇铁石榴石薄…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种钇铁石榴石单晶薄膜及其制备方法

简介：本发明提供了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种液相外延用钆镓石榴石单晶衬底的清洗方法

简介：本发明提供了一种液相外延用钆镓石榴石单晶衬底的…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

铁电极复合材料及其制备方法

简介：本发明提供一种铁电极复合材料及其制备方法，复合…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种纳米TiO2与绝缘玻璃复合材料及其制备方法

简介：一种纳米TiO2与绝缘玻璃复合材料及其制备方法，属…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法

简介：一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市建设北路二段四号

一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明公开了一种钛酸锌钡体系微波介质陶瓷材料及…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号