一种镍锌铁氧体材料及其制备方法

简介：本发明涉及一种无线充电发射端和接收端线圈的隔磁…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

AB位同时取代的微波介质陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明提供一种AB位同时取代的微波介质陶瓷材料及…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

基于广义空间调制系统的自适应调制方法

简介：本发明属于通信抗干扰技术领域，涉及广义空间调制…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法，属于电子…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法，属于电子…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料及其制备方法

简介：本发明提供一种晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料及…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

高介低损微波介质陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明提供一种高介低损微波介质陶瓷材料，材料化…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

氮化镓高电子迁移率晶体管小信号模型参数提取方法

简介：本发明公开了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号