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2019.12.11

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  • 添加ReAlO3的微波介质陶瓷材料及其制备方法

    简介:本发明提供一种添加ReAlO3的微波介质陶瓷材料及其…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 双波长可调谐的中红外脉冲光纤激光器及获得激光的方法

    简介:本发明提供一种双波长可调谐的中红外脉冲光纤激光…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法

    简介:本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域,具体涉…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种高通量湿法化学组合材料芯片制备装置以及制备方法

    简介:本发明涉及一种高通量湿法化学组合材料芯片制备装…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种测试光交换芯片模块性能的方法

    简介:本发明属于光通信技术领域,提供一种测试光交换芯…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种S波段SIW双环铁氧体移相器及其设计方法

    简介:本发明涉及微波技术、无源器件以及铁氧体器件领域…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种单晶石榴石厚膜的制备方法

    简介:本发明提供了一种单晶石榴石厚膜的制备方法,属于…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种新型的铁电-铁磁复合材料及其制备方法

    简介:一种新型的铁电-铁磁复合材料及其制备方法,属于…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号