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2019.12.11

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  • 高c轴取向的ErAlN薄膜及其制备方法

    简介:本发明公开了一种高c轴取向ErAlN薄膜及其制备方法…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种高填充量的钕铁硼?聚芳醚腈复合片材的制备技术

    简介:本发明涉及一种高填充量的钕铁硼‑聚芳醚腈复合片…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法

    简介:本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域,具体涉…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种光子与微波量子态转换器

    简介:本发明属于量子信息技术领域,公开了一种光子与微…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 无机/有机复合耐高温烧蚀材料及其制备方法

    简介:本发明公开了一种无机/有机复合耐高温烧蚀材料及…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种波长宽带可调谐的中红外光纤激光器

    简介:本发明涉及中红外激光技术领域,尤其涉及一种波长…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新西区西源大道2006号

  • 一种发光波段可调的新型氮化物荧光粉及其制备方法

    简介:一种发光波段可调的新型氮化物荧光粉及其制备方法…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 一种超宽带中红外光纤超荧光发射器

    简介:本发明涉及中红外激光技术领域,尤其涉及一种超宽…

    专利类型:发明

    申请人:电子科技大学

    所在地:四川省成都市高新西区西源大道2006号