一种含铋半导体纳米材料的制备方法

简介：本发明公开一种含铋半导体纳米材料的制备方法。该…

专利类型：发明

申请人：杭州电子科技大学

所在地：浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

一种含氮半导体纳米材料的制备方法

简介：本发明公开一种含氮半导体纳米材料的制备方法。该…

专利类型：发明

申请人：杭州电子科技大学

所在地：浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

一种含磷元素纳米管的制备方法

简介：本发明公开一种含磷元素纳米管的制备方法。该方法…

专利类型：发明

申请人：杭州电子科技大学

所在地：浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

一种含稀土元素纳米管的制备方法

简介：本发明公开一种含稀土元素纳米管的制备方法。该方…

专利类型：发明

申请人：杭州电子科技大学

所在地：浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

一种水处理用纳米材料的制备方法

简介：本发明公开一种水处理用纳米材料的制备方法。该方…

专利类型：发明

申请人：杭州电子科技大学

所在地：浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

一种金属表面硅烷涂层缓蚀剂

简介：一种金属表面硅烷涂层缓蚀剂，包括：纳米氟碳铈C…

专利类型：发明

申请人：衢州市万能达清洗有限公司

所在地：浙江省衢州市高新园区巨化厂二北路8号

一种高稳定性的镍钴铝酸锂正极材料及其制备方法

简介：本发明提供一种高稳定性的镍钴铝酸锂正极材料及其…

专利类型：发明

申请人：宁波金和锂电材料有限公司

所在地：浙江省宁波市余姚市谭家岭东路39号

一种高熵非晶合金、其制备方法及应用

简介：本发明提供了一种高熵非晶合金，表示其元素组分以…

专利类型：发明

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

所在地：浙江省宁波市镇海区庄市大道519号