一种浸渍扩散阴极用钪酸盐的制备方法

简介：本发明公开了一种浸渍扩散阴极用钪酸盐的制备方法…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

基于双包层弱掺镱光纤的随机分布式瑞利反馈光纤激光器

简介：本发明公开了基于双包层弱掺镱光纤的随机分布式瑞…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种基于弱掺铒光纤的混合随机激光分布式放大方法

简介：本发明公开了一种基于弱掺铒光纤的混合随机激光分…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

基于纤芯泵浦的掺镱-拉曼混合增益随机光纤激光器

简介：本发明公开了一种基于纤芯泵浦的掺镱‑拉曼混合增…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种Ce1?xZrxO2纳米片材料及其制备方法

简介：本发明属于无机材料的制备技术领域，具体涉及一种…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料及其制备方法和用途

简介：一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料，包括铁磁性基片…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质薄膜及其制备方法

简介：本发明公开了一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市成华区建设北路二段四号

一种在非晶基带表面制备双轴织构NaCl薄膜的方法

简介：本发明属于多晶薄膜领域，提供一种在非晶基带表面…

专利类型：发明

申请人：电子科技大学

所在地：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号