钛酸盐基质红色荧光体的水热生长法

简介：本发明涉及一种钛酸盐基质红色荧光体的水热生长法…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

稀土荧光体材料的微波烧成方法

简介：本发明提供一种稀土荧光体材料的微波烧成方法。其…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

白光二极管硅酸盐单基质荧光体及制备法

简介：本发明提供一种白光二极管硅酸盐单基质荧光体及制…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

MY (1－x)SiO4:Ax发光薄膜及其制备方法

简介：本发明公开了一种发光薄膜，其化学表达式为：MY …

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

MGd (1－x)SiO4:Ax发光薄膜及其制备方法

简介：本发明公开了一种MGd (1－x)SiO4:Ax发光薄膜及其…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

M2 (1－x)B5O9Cl: A2x发光薄膜及其制备方法

简介：本发明公开了一种M2(1－x)B5O9Cl:A2x发光薄膜及其…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

Gd3Al5O12:Ce,Dy发光薄膜及其制备方法

简介：本发明公开了一种Gd3Al5O12:Ce，Dy发光薄膜及其制…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

硅酸盐蓝色光致发光材料制备法

简介：本发明提供一种硅酸盐蓝色光致发光材料制备法的气…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号