蓝光激发的橙红光磷光体及制备方法与余辉二极管

简介：本发明属于光电显示材料和器件技术领域，涉及一种…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

蓝紫光或蓝光激发的荧光体及制造方法与封装的白光二极管

简介：本发明属于光电显示材料和器件技术领域，涉及一种…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

近红外光上转换氟化物晶体的水热生长方法

简介：本发明提供一种在近红外光激发的上转换氟化物晶体…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

单基质白光荧光体的水热生长法

简介：本发明涉及一种单基质白光荧光体的水热生长法，属…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

稀土荧光粉材料的微波烧成装置

简介：本实用新型提供一种稀土荧光粉材料的微波烧成装置…

专利类型：新型

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

稀土铝硅酸盐基质荧光材料及制备方法

简介：本发明涉及一种紫外光激发的稀土铕离子掺杂的铝硅…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

红色长余辉荧光粉材料及制备方法

简介：本发明涉及一种红色长余辉材料及其制备方法。荧光…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

稀土掺杂的氮化物荧光粉材料及制备方法

简介：本发明涉及一种稀土掺杂的氮化物荧光粉材料及制备…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号