Sr (1－x)M2S4:Ax量子点及其制备方法

简介：本发明公开了一种Sr (1－x)M2S4:Ax量子点，其特征…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗路263号

M(1－x)Ga2S4:Ax量子点及其制备方法

简介：本发明公开了一种量子点，其特征在于其化学表达式…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗路263号

激光熔凝合成法制作ABO3型钙钛矿结构复氧化物离子导体

简介：激光熔凝合成法制作ABO3型钙钛矿结构复氧化物离子…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

碱土与过渡金属复合掺杂钙钛矿型离子导体材料的制备工艺

简介：本发明是一种碱土与过渡金属复合掺杂钙钛矿型离子…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗路263号

一种发光薄膜及其制备方法与用途

简介：本发明是一种发光薄膜及其制备方法与用途。发光薄…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：300191天津市南开区红旗南路263号

新型光存储发光材料及其用途

简介：本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医…

专利类型：发明

申请人：天津理工学院

所在地：300191天津市红旗南路263号天津理工学院材料物理所

一种晶型调控的多色荧光材料及其制备方法和应用

简介：一种晶型调控的多色荧光材料，化学通式为Ca2SiO4…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区

一种氮化物荧光粉的低温等离子体制备方法

简介：一种氮化物荧光粉的低温等离子制备方法，所述氮化…

专利类型：发明

申请人：天津理工大学

所在地：天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区