一种掺钕氟化镥锂纳米材料及其及制备方法和应用

简介：本申请公开了一种掺钕氟化镥锂纳米材料及其制备方…

专利类型：发明

申请人：中国科学院福建物质结构研究所

所在地：福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号

一种掺杂氟化镥锂闪烁微晶及其制备方法和应用

简介：本申请公开了一种掺杂氟化镥锂闪烁微晶及其制备方…

专利类型：发明

申请人：中国科学院福建物质结构研究所

所在地：福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号

利用全封闭式坩埚制备溴化镧晶体的方法

简介：本发明提供一种利用全封闭式坩埚制备溴化镧晶体的…

专利类型：发明

申请人：厦门中烁光电科技有限公司

所在地：福建省厦门市集美区集美大道1300号创新大厦18层

利用温场可调的晶体生长装置制备溴化镧铈晶体的方法

简介：本发明提供一种利用温场可调的晶体生长装置制备溴…

专利类型：发明

申请人：厦门中烁光电科技有限公司

所在地：福建省厦门市集美区集美大道1300号创新大厦18层

无水溴化铈的制备方法

简介：本发明提供一种无水溴化铈的制备方法，其是以醋酸…

专利类型：发明

申请人：厦门中烁光电科技有限公司

所在地：福建省厦门市集美区集美大道1300号创新大厦18层

多离子掺杂大尺寸溴化镧单晶闪烁体及其制备方法

简介：本发明涉及闪烁晶体材料领域，一种多离子掺杂大尺…

专利类型：发明

申请人：中国科学院福建物质结构研究所

所在地：福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号

一种高温无机闪烁晶体的制备方法

简介：一种高温无机闪烁晶体的制备方法，采用钼金属、钨…

专利类型：发明

申请人：中国科学院福建物质结构研究所

所在地：福建省福州市杨桥西路155号

一种烧绿石型A2B2O7透明陶瓷的制备方法

简介：本发明公开了一种烧绿石型A2B2O7透明陶瓷的制备方…

专利类型：发明

申请人：福建福晶科技股份有限公司

所在地：福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区9号楼福晶科技园