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2019.12.11

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  • 高品质因数铌酸钕系微波介质陶瓷及其制备方法

    简介:本发明公开了一种高品质因数铌酸钕系微波介质陶瓷…

    专利类型:发明

    申请人:天津大学

    所在地:天津市南开区卫津路92号

  • 氧化锌—碳酸盐共掺杂铈锆酸钡质子导体材料及其制备方法

    简介:本发明涉及氧化锌—碳酸盐共掺杂的铈锆酸钡质子导…

    专利类型:发明

    申请人:天津大学

    所在地:天津市南开区卫津路92号天津大学

  • 以金属磷化物催化剂由高级脂肪酸酯制烃的方法

    简介:本发明公开了一种以金属磷化物催化剂由高级脂肪酸…

    专利类型:发明

    申请人:天津大学

    所在地:天津市南开区卫津路92号

  • 掺杂二氧化铈的铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷

    简介:本发明公开了一种外加二氧化铈的铌锑锆钛酸铅压电…

    专利类型:发明

    申请人:天津大学

    所在地:天津市南开区卫津路92号

  • 铈掺杂钴酸锶与碳共同包覆磷酸亚铁锂的锂离子电池正极材料及其制备方法

    简介:本发明公开了一种铈掺杂钴酸锶与碳共同包覆磷酸亚…

    专利类型:发明

    申请人:天津大学

    所在地:天津市南开区卫津路92号天津大学

  • 钇掺杂锆铈酸钡/无机盐复相结构质子导体材料及其制备方法

    简介:本发明公开了一种钇掺杂锆铈酸钡/无机盐复相结构…

    专利类型:发明

    申请人:天津大学

    所在地:天津市南开区卫津路92号

  • 一种镧锰钙钛矿型脱NOx催化剂的制备方法及应用

    简介:本发明涉及一种镧锰钙钛矿型脱NOx催化剂的制备方…

    专利类型:发明

    申请人:天津大学

    所在地:天津市南开区卫津路92号天津大学

  • 高性能镧掺杂PZN-PZT压电陶瓷的制备方法

    简介:本发明公开了一种高性能镧掺杂PZN-PZT压电陶瓷的…

    专利类型:发明

    申请人:天津大学

    所在地:天津市南开区卫津路92号