星期一17:50

2019.12.11

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  • 一种c轴取向的钆钡铜氧薄膜的制备方法

    简介:本发明涉及一种c轴取向的钆钡铜氧薄膜的制备方法…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种铜酸钆薄膜的制备方法

    简介:本发明涉及铜酸钆薄膜的制备方法,包括以下步骤:…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种耐高温高发射率封孔剂及其制备方法和封孔工艺

    简介:本发明属于涂层封孔材料领域,具体涉及一种耐高温…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种多色调谐发光的KYF4上转换荧光材料及其制备方法

    简介:本发明涉及多色调谐发光的KYF4上转换荧光材料及其…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 粉体离子均匀掺杂石英棒的制备方法

    简介:本发明涉及一种粉体离子均匀掺杂石英棒的制备方法…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 稀土掺杂磷酸钙荧光纳米粒子及其制备方法和应用

    简介:本发明涉及一种稀土掺杂磷酸钙荧光纳米粒子及其制…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种具有紫外滤过能力的稀土离子掺杂MgAlON透明陶瓷材料的制备方法

    简介:本发明涉及一种陶瓷材料的制备方法。一种具有紫外…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 利用废弃荧光粉制备稀土金属共掺的六方相四氟钇钠纳米晶的方法

    简介:本发明涉及一种利用废弃荧光粉制备镱、铕、铒共掺…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号