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2019.12.11

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  • 一种过渡金属微晶掺杂硫系玻璃复合材料的制备方法

    简介:本发明是一种过渡金属微晶掺杂硫系玻璃复合材料的…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶瓷材料及其制备方法

    简介:本发明公开了一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • Nd、Al共掺杂取代Ba0.4Sr0.6TiO3巨介电陶瓷及其制备方法

    简介:本发明公开了一种Nd、Al共掺杂取代Ba0.4Sr0.6TiO…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种新型CaTiO3基线性储能介质陶瓷材料及其制备方法

    简介:本发明涉及一种新型CaTiO3基线性储能介质陶瓷材料…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种La掺杂同时锂量变化的富锂正极材料及其制备方法

    简介:本发明公开了一种La掺杂同时锂量变化的富锂正极材…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种淀粉固化成型的高纯纳米氧化铝生物陶瓷及其制备方法和应用

    简介:本发明涉及一种淀粉固化成型的高纯纳米氧化铝生物…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 用于激光防护的微晶玻璃及其制备方法

    简介:本发明公开了一种用于激光防护微晶玻璃材料及其制…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种铌镁酸钡发光陶瓷及其制备方法

    简介:本发明涉及一种铌镁酸钡发光陶瓷及其制备方法。铌…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号