星期一17:50

2019.12.11

搜索
  • 一种透明Ce:YAG玻璃陶瓷及其制备方法

    简介:本发明涉及一种透明Ce:YAG玻璃陶瓷及其制备方法,…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 镧系稀土镱掺杂硫化银量子点及其制备方法和应用

    简介:本发明涉及一种镧系稀土镱掺杂硫化银量子点及其制…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 介孔LaFeO3钙钛矿型复合氧化物催化剂材料的制备方法

    简介:本发明属于无机功能材料技术领域,具体涉及一种介…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种Eu2+掺杂三元碱土金属硅氮化物荧光粉的电场辅助合成方法

    简介:本发明公开了一种Eu2+掺杂三元碱土金属硅氮化物荧…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种有利于红橙光激光输出的掺镨氟化锶激光陶瓷及其制备方法

    简介:本发明涉及一种有利于红橙光激光输出的掺镨氟化锶…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种铈镧掺杂氟化钡透明陶瓷及其制备方法

    简介:本发明公开了一种铈镧掺杂氟化钡透明陶瓷及其制备…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种钐掺杂MnOx低温SCR催化剂及其制备方法和应用

    简介:本发明涉及一种钐掺杂MnOx低温SCR催化剂及其制备…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 一种制备工艺简单的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    简介:本发明涉及一种制备工艺简单的钙钛矿太阳能电池及…

    专利类型:发明

    申请人:武汉理工大学

    所在地:湖北省武汉市洪山区珞狮路122号