基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器

简介：本发明公开了一种基于磁光光子晶体的4×4二进…

专利类型：发明

申请人：中国科学院半导体研究所

所在地：北京市海淀区清华东路甲35号

一种立方氧化锆-β相碳化硅复相耐高温粉体材料的制备方法

简介：本发明涉及一种立方氧化锆-β相碳化硅复相耐高温…

专利类型：发明

申请人：中国地质大学（北京）

所在地：北京市海淀区学院路29号

一种光触媒喷液及制备的方法

简介：本发明提供一种对室内有害污染物质发挥长效的祛除…

专利类型：发明

申请人：北京创天下环保科技有限公司

所在地：北京市朝阳区雅宝路12号16层1609、1610

抗腐蚀涂层的制作方法、抗腐蚀涂层、等离子体加工设备

简介：本发明提供一种抗腐蚀涂层的制作方法、抗腐蚀涂层…

专利类型：发明

申请人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

所在地：北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

钛铝基及铌硅基合金定向凝固熔模精铸模壳的制备方法

简介：本发明属于熔模精密铸造模壳技术领域，具体涉及钛…

专利类型：发明

申请人：北京百慕航材高科技股份有限公司

所在地：北京市海淀区永翔北路5号

一种新型铽配合物探针的制备方法及其作为钾离子识别试剂的用途

简介：本发明涉及一种通式I的铽配合物、其制备方法及其…

专利类型：发明

申请人：北京师范大学

所在地：北京市海淀区新街口外大街19号

一种稀土金属化合物及其合成工艺

简介：本发明公开了一种稀土金属化合物及其合成工艺，所…

专利类型：发明

申请人：中国人民银行印制科学技术研究所中国印钞造币总公司

所在地：北京市丰台区科学城中核路5号

一种陶瓷材料烧结助剂的加入方法

简介：本发明提供一种陶瓷材料烧结助剂的加入方法，其包…

专利类型：发明

申请人：航天材料及工艺研究所中国运载火箭技术研究院

所在地：北京市丰台区南大红门路1号