稀土元素双掺纳米晶In2O3基热电陶瓷材料的制备方法

简介：本发明是一种稀土元素双掺纳米晶In2O3基热电陶瓷…

专利类型：发明

申请人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院

所在地：北京市81号信箱

K3YB6O12化合物、K3YB6O12非线性光学晶体及制法和用途

简介：本发明涉及K3YB6O12化合物、K3YB6O12单晶及制备方…

专利类型：发明

申请人：中国科学院理化技术研究所

所在地：北京市海淀区中关村北一条2号

羧苄基取代二氮杂冠醚衍生物及其合成方法

简介：本发明提供一种羧苄基取代二氮杂冠醚衍生物，结构…

专利类型：发明

申请人：北京师范大学北京师大科技园科技发展有限责任公司

所在地：北京市海淀区新街口外大街19号

一种薄膜钪钨阴极及其制备方法

简介：一种薄膜钪钨阴极及其制备方法，属于微波真空电子…

专利类型：发明

申请人：中国电子科技集团公司第十二研究所

所在地：北京市朝阳区仙桥路13号

用于氨基酸检测的酪氨酸根/LRH复合体及其合成方法

简介：本发明提供酪氨酸根/LRH复合体及其合成方法，合成…

专利类型：发明

申请人：北京师范大学北京师大科技园科技发展有限责任公司

所在地：北京市海淀区新街口外大街19号

一种耐高温冲蚀磨损LnMgAl11O19-ZrO2复相陶瓷材料的制备方法

简介：一种耐高温冲蚀磨损LnMgAl11O19-ZrO2复相陶瓷材料…

专利类型：发明

申请人：中国地质大学（北京）

所在地：北京市海淀区学院路29号中国地质大学（北京）

复合荧光材料及其制备方法

简介：一组新型复合荧光材料及其制备方法。荧光复合体由…

专利类型：发明

申请人：北京华美亮材料科技有限公司

所在地：北京市海淀区上地十街1号院4号楼6层601室

一组复合荧光材料及其制备方法

简介：一组新型复合荧光材料及其制备方法。荧光复合体由…

专利类型：发明

申请人：北京华美亮材料科技有限公司

所在地：北京市海淀区上地十街1号院4号楼6层601室