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2019.12.11

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  • 一种紧固件高耐腐蚀性热浸镀合金镀层及其制备工艺

    简介:本发明所提供的一种紧固件高耐腐蚀性热浸镀合金镀…

    专利类型:发明

    申请人:中国电力科学研究院

    所在地:北京市海淀区清河小营东路15号

  • 半导体器件及其形成方法

    简介:一种半导体器件,包括栅介质层,形成于半导体基底…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院微电子研究所

    所在地:北京市朝阳区北土城西路3号

  • 一种稀土铝硅酸盐玻璃的制备方法

    简介:本发明属于无机玻璃材料制备技术领域,具体涉及一…

    专利类型:发明

    申请人:中国科学院理化技术研究所

    所在地:北京市海淀区中关村北一条2号

  • 六铝酸盐金属氧化物催化剂、制备方法及其应用

    简介:本发明涉及六铝酸盐金属氧化物催化剂、制备方法及…

    专利类型:发明

    申请人:北京石油化工学院

    所在地:北京市大兴区清源北路19号

  • 陶瓷衬底的氮化镓基芯片及制造方法

    简介:本发明的陶瓷衬底的正装结构的氮化镓基芯片包括陶…

    专利类型:发明

    申请人:金木子

    所在地:北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号

  • 一种锂离子电池正极材料前驱体及其制备方法

    简介:本发明公开了一种锂离子电池正极材料前驱体及其制…

    专利类型:发明

    申请人:北京当升材料科技股份有限公司

    所在地:北京市西城区西直门外文兴街1号

  • 一种多孔球形Li1-xMxFe1-yNy(PO4)[3+(α-1)x+(β-2) y]/3/C材料的制备方法

    简介:本发明公开了一种多孔球形Li1-xMxFe1-yNy(PO4)[3…

    专利类型:发明

    申请人:秦波

    所在地:北京市西城区文兴街1号北京矿冶研究总院

  • 一种抗辐射复合材料及其配备方法

    简介:本发明涉及航空航天领域电子元器件的抗辐射材料研…

    专利类型:发明

    申请人:北京统合万方科技有限公司

    所在地:北京市海淀区上地东路5号京蒙高科B座807