MOSFET结构及其制作方法

简介：本申请公开了一种MOSFET结构及其制作方法。该MOS…

专利类型：发明

申请人：中国科学院微电子研究所

所在地：北京市朝阳区北土城西路3号

稀土铝酸盐单相或复相纳米晶透明陶瓷材料及其制备方法

简介：本发明涉及稀土铝酸盐单相或复相纳米晶透明陶瓷材…

专利类型：发明

申请人：中国科学院理化技术研究所

所在地：北京市海淀区中关村北一条2号

一种新型WC基硬质合金材料及其制备方法

简介：本发明涉及一种新型高性能WC基硬质合金材料及其制…

专利类型：发明

申请人：中国地质大学（北京）

所在地：北京市海淀区学院路29号

一种高钢级大应变管线钢和钢管的制造方法

简介：本发明涉及一种高钢级大应变管线钢和钢管的制造方…

专利类型：发明

申请人：中国石油天然气集团公司中国石油天然气集团公司管材研究所

所在地：北京市东城区东直门北大街9号中国石油大厦

一种合成甲烷催化剂及其制备方法和应用

简介：本发明提供一种合成甲烷用催化剂及其制备方法和应…

专利类型：发明

申请人：新奥新能（北京）科技有限公司

所在地：北京市大兴区北京经济技术开发区宏达北路12号

一种稀土型水基凝胶交联剂及其制备方法

简介：本发明公开了一种稀土型水基凝胶交联剂及其制备方…

专利类型：发明

申请人：中国海洋石油总公司中海石油研究中心

所在地：北京市东城区朝阳门北大街25号

一种除羟基和无析晶多光谱传输钡镓锗玻璃

简介：一种除羟基和无析晶多光谱传输钡镓锗玻璃及其制备…

专利类型：发明

申请人：中国建筑材料科学研究总院

所在地：北京市朝阳区管庄东里1号

钢铁厂热轧高含油废水处理、回用方法

简介：一种钢铁厂热轧高含油废水处理、回用方法，属于废…

专利类型：发明

申请人：北京首钢国际工程技术有限公司

所在地：北京市石景山区石景山路60号