一种低热裂倾向性Al-5%Cu基合金制备方法

简介：一种低热裂倾向性Al-5％Cu基合金制备方法，它涉及…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

双耦合掺饵光纤环光信号延迟器

简介：本发明提供一种能够实现对数据延迟量的控制、克服…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

用于1550nm光通信的耦合谐振器光学波导信号控制器

简介：本发明提供一种用于1550nm光通信的耦合谐振器光学…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

用于1550nm光通信的耦合谐振器光学波导可控信号延迟器

简介：本发明提供了一种用于1550nm光通信的耦合谐振器光…

专利类型：发明

申请人：掌蕴东田赫袁萍哈尔滨工业大学

所在地：150001黑龙江省哈尔滨市南岗区一匡街2号

重掺抗光损伤元素的Er-LiNbO3晶体及其制备方法

简介：本发明提供了一种重掺抗光损伤元素的Er-LiNbO3晶…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

一种掺铒-铌酸锂晶体及其制备方法

简介：本发明提供了一种掺铒-铌酸锂晶体及制备方法。它…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

一种利用离子液体电沉积技术制备Tb-Co合金层的方法

简介：一种利用离子液体电沉积技术制备Tb-Co合金层的方…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

一种利用离子液体脉冲电沉积技术制备TbFeCo合金薄膜的方法

简介：一种利用离子液体脉冲电沉积技术制备TbFeCo合金薄…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号