具有纳米孔道的稀土Gd(Ⅲ)-三酸配合物及应用

简介：本发明公开了具有纳米孔道的稀土Gd(Ⅲ)-三酸配合…

专利类型：发明

申请人：天津师范大学

所在地：天津市西青区宾水西道393号

4-磺基邻苯二甲酸稀土金属配合物及其制备方法与应用

简介：本发明涉及4-磺基邻苯二甲酸稀土金属配合物及其制…

专利类型：发明

申请人：天津师范大学

所在地：天津市西青区宾水西道393号

基于1,4-萘二酸配体的稀土金属配合物及其制备方法与应用

简介：本发明涉及刚性的1,4-萘二酸配体构筑的镧系稀土金…

专利类型：发明

申请人：天津师范大学

所在地：天津市西青区宾水西道393号

基于2-萘甲酸配体的稀土金属磁性配合物及其制备方法与应用

简介：本发明涉及基于2-萘甲酸配体的稀土金属磁性配合物…

专利类型：发明

申请人：天津师范大学

所在地：天津市西青区宾水西道393号

一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体及其制备的方法

简介：本发明公开了一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体…

专利类型：发明

申请人：天津师范大学

所在地：天津市西青区宾水西道393号

Dy(III)-Mn(II)混金属磁性配合物及其制备方法与应用

简介：本发明涉及混合配体构筑的Dy(III)-Mn(II)混金属磁…

专利类型：发明

申请人：天津师范大学

所在地：天津市西青区宾水西道393号

铁酸铋一维纳米管及其制备方法与应用

简介：本发明公开了铁酸铋一维纳米管及其制备方法与应用…

专利类型：发明

申请人：天津师范大学

所在地：天津市西青区宾水西道393号

用液相熔渗法制备单畴（Gd/Y）-Ba-Cu-O超导块材的方法

简介：本发明公开了一种用液相熔渗法制备单畴（Gd/Y）-…

专利类型：发明

申请人：天津师范大学

所在地：天津市西青区宾水西道393号