一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法

简介：一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法，它涉及一…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

一种有效拓展微纳米电极粒子表面积的方法

简介：一种有效拓展微纳米电极粒子表面积的方法，它涉及…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

一种镧掺杂镓锌氮氧固溶体光催化剂的制备方法及应用

简介：一种镧掺杂镓锌氮氧固溶体光催化剂的制备方法及应…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

小尺寸异质核壳CaF2:2Er3+,20Yb3+@NaXF4纳米晶的制备方法

简介：小尺寸异质核壳CaF2:2Er3+,20Yb3+@NaXF4纳米晶的…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

异质核壳结构CaF2:20Yb，2Ho@NaXF4纳米晶的制备方法

简介：异质核壳结构CaF2:20Yb,2Ho@NaXF4纳米晶的制备方…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

一种上转换发红光硫化铟的制备方法

简介：一种上转换发红光硫化铟的制备方法，本发明涉及上…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

锆酸钡与氧化锆复合质子导体材料及其制备方法

简介：锆酸钡与氧化锆复合质子导体材料及其制备方法，涉…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

一种稀土及其氧化物改进氧化石墨的制备方法

简介：一种稀土及其氧化物改进氧化石墨的制备方法，涉及…

专利类型：发明

申请人：哈尔滨工业大学

所在地：黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号